传统的设计方法是过驱动电压的设计方法，主要针对长沟道器件。但如果进入深亚微米级别，按照平方率关系来设计的话，会和实际有很大的偏差。
gm/Id设计方法本质是基于查找表的一种设计方法。通过提取出管子的一些模型，不同的沟道长度，也就是不同gm/Id跨导效率下的：截止频率，本征增益gm*r0，电流密度ID/w的一些曲线作为基础，而进行对照设计的一种设计方法。
Think about the design tradeoffs in terms of the MOSFET’s inversion level, using gm/Id as a proxy.
速度和增益的取舍，以gm/Id作为代理
电流密度（效率）的趋势
gm/Id设计方法欠缺对噪声和消耗面积的考虑，所以设计时要时刻注意。
推荐的书籍主要是《Systematic Design of CMOS Analog Circuits: Using Pre-Computed Lookup Tables》Murmann，Jespers www.cambridge.org/Jespers
以及Stanford 的 EE214B 课件