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自偏置（Self-Biasing）电路利用自身支路的电流和电压建立偏置工作点。片上偏置与电流基准是模拟芯片的“心脏”，设计时需要在输出阻抗、电源抑制比、启动可靠性与环路稳定性之间做精细取舍。看似巧妙的… Read more自偏置电路

在脑机接口、神经动作电位与局部场电位采集中，微弱生理信号幅值仅有几微伏至几百微伏。植入式电极阵列又对单通道功耗有严格限制。低噪声模拟前端（AFE）的设计，需要同时处理噪声、带宽与功耗。 积分噪声与偏置… Read more低噪声模拟前端

在 Gm-C 滤波器中，极点频率由跨导与电容的比值决定。由于半导体制造过程以及工作温度的波动，跨导和电容的绝对值会产生偏移。 主滤波器正在处理信号时，可以采用间接频率调谐（Master-Slave T… Read more片上自动调谐：主从架构与频率校准

Gm-C 滤波器的频率取决于跨导与电容之比。两者都随工艺PV变化，跨导还随工作条件T变化。时钟基准调谐环路就是为解决这个问题。 开关电容基准调谐。比较节点对平均电流误差积分以调节 VcntlV_{cn… Read more时钟基准调谐

二阶滤波器有两个不同的特性：频率尺度和阻尼。固有频率决定电路响应的快慢，品质因数 Q 决定振荡行为被抑制的程度。 双积分器有源 RC 滤波器示例。C1C_1 和 C2C_2 储存两个状态，R1R_1 … Read more滤波器频率与 Q

工作在三极区的 MOS 管可以充当压控电阻：改变栅电压即改变其电导，使有源 RC 滤波器得以电子调谐。困难在于晶体管电流还含有对信号电压的二次依赖，从而产生失真。 四管 MOSFET-C 积分器。交叉… Read moreMOSFET-C 线性化

连续时间滤波器的核心积木是积分器。运放配合无源电阻电容（Active-RC）可以获得较好的线性度；但在集成电路上，电阻面积、绝对值误差和寄生电容都会成为设计约束。 为此，片上滤波器衍生出两类方案：用线… Read more连续时间滤波器：Active-RC、MOSFET-C 与 Gm-C

两个非线性晶体管电流可以产生一个线性的差值。有用的性质是平方差公式：若两个量围绕固定值等幅反向变化，其平方项在相减时抵消。 固定的源极电位与对称的栅极输入保持了过驱动电压之和；在理想平方律下，相等的二… Read more平方律线性化

在共源级(Common-Source Stage)的源极串入电阻，电流增大时，源极电压随之升高，抵消一部分栅源电压变化。这就是源极退化(Source Degeneration)：利用局部负反馈(Loc… Read more源极退化 用增益换线性

跨导器将电压转换为电流。若保持漏–源电压恒定，MOS 晶体管可以在三极区内近似线性地完成这一转换。关键在于让栅电压成为电流方程中唯一随信号变化的项。 局部反馈固定 M1 和 M2 的漏–源电压，使差分… Read more三极区跨导器