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LDO 输出补偿

2026年5月17日2026年10月17日 yu

LDO 的输出电容不只是储存电荷。它与电路中的电阻共同改变反馈环路的相位。在某些 LDO 中,电容的等效串联电阻(ESR)提供相位超前,帮助维持环路稳定。 PMOS LDO 及其输出网络。标注的断开处… Read moreLDO 输出补偿

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LDO 负载瞬态

2026年5月17日2026年10月17日 yu

负载阶跃期间,LDO 的输出电压会发生变化,因为其调整管无法瞬间改变电流。在调整管响应之前,电流差额由输出电容补足或吸收。因此,电压偏差记录的就是电荷的不平衡。 示意性负载阶跃响应:Δt1\Delta… Read moreLDO 负载瞬态

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kT/C 噪声

2026年5月9日2026年10月17日 yu

理解噪声,可以抓住两个问题:它从哪里来,经过电路之后还剩多少。 噪声 热噪声(Thermal Noise)来自载流子的热运动。无外加电压时,电阻,MOS 管导电沟道,由导体原生产生。 散粒噪声(Sho… Read morekT/C 噪声

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闭环频响与米勒补偿

2026年3月22日2026年10月18日 yu

在分析带反馈的放大器时,列出全电路 KCL 方程并求解高阶传递函数分母的根,往往代数过程冗长,而且一旦算错极难排查。借用负反馈公式的“并联电阻”图形近似法,可以直接在波特图上观察闭环增益与极点分裂。 … Read more闭环频响与米勒补偿

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衬底效应与源极跟随器

2026年3月10日2026年10月18日 yu

在模拟 IC 教科书中,衬底偏置效应(Body Effect)往往被贴上“降低增益、抬升阈值电压、吃掉电压裕度”的负面标签。然而从底层器件物理来看,背栅跨导与主栅跨导之间存在着定量耦合关系。理解这一物… Read more衬底效应与源极跟随器

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从反型程度理解 gm/Id 与设计取舍

2026年2月18日2026年10月8日 yu

怎么区分反型程度 弱反型(Weak Inversion)、中等反型(Moderate Inversion)、强反型(Strong Inversion),说的是沟道里反型电荷的多少;线性区(Linear… Read more从反型程度理解 gm/Id 与设计取舍

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Chopping

2023年7月29日2023年8月2日 yu

既斩波技术,属于动态调制技术的一种,也是动态调制最本源的思想之一 Chopping主要解决的是低频下的误差,失调offset和漂移drift以及闪烁噪声(1/f噪声) Chopping核心思想是:先将… Read moreChopping

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封装寄生参数

2023年3月30日2023年7月30日 yu

常规为引线键合,有分金线和铜线,都会引入一定的寄生参数 一般的Wire bind长度为1-3mm,直径约0.025mm。所以金线寄生电阻大致为50mΩ-150mΩ左右,也就是百毫欧这个量级。 单导线寄… Read more封装寄生参数

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反馈环路及环路极性判断法以共模负反馈为例

2022年5月11日2023年7月20日 yu

环路极性判断法: 1.首先找到反馈环路。 2.在这个反馈环路中任意选择一个节点 A,可以选择已知的输入节点或者输出节点。 3.在节点A处假设存在一个正的变化量,用㊉符号表示。 4.沿着环路,让这个变化… Read more反馈环路及环路极性判断法以共模负反馈为例

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gm/Id设计方法

2022年4月15日2023年7月29日 yu

传统的设计方法是过驱动电压的设计方法,主要针对长沟道器件。但如果进入深亚微米级别,按照平方率关系来设计的话,会和实际有很大的偏差。 gm/Id设计方法本质是基于查找表的一种设计方法。通过提取出管子的一… Read moregm/Id设计方法

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