源极跟随器为什么跟不准：体效应与驱动能力

源极跟随器（Source Follower）主要用来降低输出阻抗。体效应（Body Effect）、有限的输出电阻（Output Resistance）和负载电流，都会影响输出对输入的跟随。

体效应如何影响跟随

以 NMOS 跟随器为例：漏极接电源，体端（Body）电压固定。源极电压上升时，源体电压 V_SB 增大，阈值电压随之升高，抵消了一部分输入信号带来的漏电流增长。

栅极通过跨导（Transconductance）g_m 控制电流；体端则贡献体跨导（Body Transconductance）g_mb。只要源极相对体端有小信号摆动，两项都要考虑。

静态 V_SB 为零，并不代表小信号体效应消失。关键是体端是否随源极一起变化。体源有效短接可使小信号体源电压为零，但能否这样连接，取决于工艺和阱隔离（Well Isolation）。

漏端和体端处于交流地（AC Ground）、输入端由小信号驱动时，低频电压增益近似为：

A_{v} = \frac{g_{m}}{g_{m} + g_{m b} + G_{L}}

G_L 包含跟随器自身的输出电导（Output Conductance）、偏置电流源的输出电导和外接电阻负载的电导。

即使 G_L 可忽略，只要 g_mb 存在，增益就小于 1。增大偏置电流未必能消除这项误差，因为 g_m 和 g_mb 往往同时增大。提高偏置电流源的输出电阻能减小负载影响，但不能消除体效应。

求输出节点等效电阻时，输入、漏端和体端均交流接地：

R_{o u t} = \frac{1}{g_{m} + g_{m b} + G_{L}}

体效应同时降低电压增益和等效电阻。这里的 R_out 包含外接负载，不能直接视为空载缓冲器自身的输出电阻。

若负载电容 C_L 占主导，且栅极驱动阻抗足够低，输出极点（Output Pole）近似为：

f_{p} = \frac{1}{2 π R_{o u t} C_{L}}

这只是单极点估算。栅极驱动阻抗和寄生电容可能引入其他极点、零点。大信号充放电还受可用电流限制，小信号带宽足够，不代表大摆幅阶跃的建立时间（Settling Time）也足够短。

先扫描输入范围，检查跟随器和偏置电流源是否留有足够的漏源电压。接近摆幅上下限时，上述小信号估算可能不再适用。

实际设计要一起检查增益、输出摆幅、负载电流和建立时间。加大电流能改善驱动，但不能替代足够的电压裕量（Voltage Headroom）和合适的电路拓扑。